سامسونگ معتقد است فناوری معماری ۳ نانومتری این کمپانی می‌تواند طی پنچ سال آینده از شرکت تایوانی TSMC پیشی بگیرد.
کمپانی ساخت تراشه‌های موبایلی و محصولات نیمه‌رسانای سامسونگ از محبوبیت‌های لازم برخوردارد نیست و بسیاری از سازندگان گوشی‌های هوشمند ترجیح می‌دهند از رقیب دیرینه این کمپانی تراشه‌های لازم برای ساخت محصولات‌شان خریداری کنند. همچنین، شرکت سامسونگ اعتراف کرد فناوری سامسونگ در بخش ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری بیش از دو سال عقب است، اما گروهی از تیم تحقیق‌وتوسعه این کمپانی با شروع پروژه‌ای جدید بیان کردند تا پنج سال آینده می‌توانند از کمپانی تایوانی تی‌اس‌ام‌سی پیشی بگیرند و سامسونگ را به جایگاه نخست در این بخش برسانند.
نشریه کره‌ای «KMIB» ادعا می‌کند سامسونگ پیشرفت‌های قابل توجهی در تولید تراشه‌های موبایلی با معماری ۳ نانومتری داشته است. این نشریه طی گزارشی بیان کرد پروژه جدید سامسونگ به ۶۰ درصد بهره‌وری رسیده، درحالی‌که کمپانی تی‌اس‌ام‌سی حدود ۵۵ درصد بازده داشته که بخش زیادی از آن دراختیار غول کوپرتینویی قرار دارد.
تیم تحقیقاتی ساموسنگ پس از گمانه‌زنی‌های لازم توانست به‌این نتیجه برسد که با استفاده از فناوری «Gate All Around» یا به اختصار «GAA» در ساخت تراشه‌ها با معماری ۳ نانومتری می‌تواند در مدت‌زمان یک سال به کمپانی تی‌اس‌ام‌سی برسد و پس از پنج سال آن‌ها را شکست دهد؛ یادآوری می‌شود سال گذشته شرکت TSMC بیان کرد تا قبل از شروع فرآیند ساخت معماری ۲ نانومتری از فناوری یادشده استفاده نخواهد کرد.
فناوری «GAA» به کمپانی سامسونگ اجازه می‌دهد تا تراشه‌های کوچک‌تر با بهره‌وری انرژی بالاتری نسبت به تراشه‌های TSMC بسازد. همچنین مدیرعامل سامسونگ در‌این‌باره اظهار نظر کرد و گفت: «پیش‌بینی می‌شود واکنش سازندگان گوشی‌های هوشمند به ساخت تراشه‌ها برپایه معماری ۳ نانومتری با فناوری مذکور می‌تواند بسیار خوب باشد و ما نیز تلاش‌های متخصصان سامسونگ الترونیک برای ارتقای سطح کیفی محصولات قدردانی می‌کنیم».
علاوه‌براین، مدیرعامل بیان کرد سامسونگ با تمام توان روی پروژه توسعه پردازنده‌های هوش مصنوعی کار می‌کند و بتواند در‌این‌زمینه از پردازنده‌های کمپانی تایوانی اینویدیا پیشی بگیرد. وی می‌کوید سامسونگ اولین نسل از ابررایانه‌های این شرکت را با تراشه‌های ۲ نانومتری در سال ۲۰۲۸ معرفی می‌کند.
موسسه تحقیقاتی «Hi Investment & Securities» در گزارشی می‌نویسد: «سامسونگ علاوه‌بر پیشرفت سریع در توسعه معماری ۳ نانومتری، توانسته به بازدهی ۷۵ درصدی در توسعه معماری ۴ نانومتری برسد. با‌این‌حال، کمپانی TSMC همچنان در تولید تراشه‌ها با معماری ۴ نانومتری از برتری ۸۰ درصدی برخوردار است». همچنین در ادامه این گزارش بیان شد به‌دلیل روند کند در پیشرفت صنایع نیمه‌رسانا در جهان، سامسونگ توانست شکاف میان بازدهی و بهره‌وری میان دو کمپانی به‌‌کمترین سطح ممکن برساند.
اعداد و ارقام نشان می‌دهند سامسونگ پیروز این نبرد سخت محسوب می‌شود، اما کمپانی تایوانی تی‌ای‌ام‌سی همچنان سهم قابل‌توجهی از بازار را دراختیار دارد. درواقع، غول تایوانی ۹۰ درصد از ظرفیت زیرلایه‌های معماری ۳ نانومتری را دراختیار کمپانی اپل قرار داده تا بتواند برای ساخت تراشه‌های سیلیکونی A17 بایونیک و M3 از آن‌ها استفاده کند. طبق گزارش‌ها، ساخت زیرلایه‌های ۳ نانومتری TSMC تا پایان سال ۲۰۲۳ به صد هزار واحد در ماه می‌رسد که رقمی بسیار قابل‌توجه است و می‌تواند بازدهی تراشه‌ساز تایوانی را در سه‌ماه چهارم سال جاری بهبود بخشد.
اخبار مرتبط:
