یک منfu معتبر خبری می‌گوید کمپانی تایوانی TSMC برنامه‌ریزی آینده برای توسعه لیتوگرافی 3 نانومتری برپایه فناوری N3P به‌همراه N3X را جهت تغییر عملکرد پردازشی تراشه‌های سیلیکونی گوشی‌های هوشمند منتشر کرد.

همان‌طورکه می‌دانید، رقابت برای تولید پیشرفته‌ترین لیتوگرافی و تراشه‌های سیلیکونی بین کمپانی‌های بزرگ فناوری قوت گرفته‌است! به‌عنوان‌مثال، TSMC و Samsung Foundry برای رونمایی از لیتوگرافی 2 نانومتری تلاش‌های بسیار زیادی می‌کنند، اما معرفی آن‌ها احتمالا بین سال‌های 2026 تا 2027 اتفاق خواهد افتاد؛ ازاین‌سو، غول تایوانی TSMC نقشه و برنامه‌ریزی برای توسعه لیتوگرافی 3 نانومتری برپایه فناوری N3P و N3X را منتشر کرد که نشان می‌دهد احتمالا نیمه‌دوم سال 2024 میلادی تکنولوژی N3P را برای بهینه‌سازی پردازش تراشه‌ها معرفی خواهد کرد.

باتوجه‌به برنامه‌ریزی TSMC، به‌نظر می‌رسد دو فناوری متفاوت از لیتوگرافی 3 نانومتری تا اواخر سال‌ 2024 و 2025 میلادی با حجم پردازشی چشمگیر عرضه می‌شود! اطلاعات موجود نشان می‌دهد N3P برای تسریع عملکرد و بهینه‌سازی مصرف انرژی مورد استفاده قرار می‌گیرد؛ ازسوی‌دیگر، N3X کلاسی بسیار متفاوت‌تر را با مصرف انرژی بیشتر ارائه می‌دهد، اما قدرت پردازشی به‌طرز شگفت‌انگیزی بالاتر از سایر تکنولوژی‌های فعلی خواهد بود و تنها گوشی‌های پرچمدار با قیمت 1000 دلار و بیشتر ازآن بهره‌مند می‌شوند.

TSMC لیتوگرافی N3P و N3X بعدی را نشان می دهد

برای درک بهتر از عملکرد لیتوگرافی 3 نانومتری N3X باشد اشاره کنیم از حداکثر ولتاژ 1.2 ولتی بهره می‌برد که به‌تراشه اجازه می‌دهد پردازش فوق‌العاده چشم‌نوازی را دراختیار کاربران قرار دهد! وب‌سایت خبری AnandTech می‌گوید تکنولوژی N3X با کاهش ولتاژ (Vdd) از 1.0 ولت به 0.9 ولت می‌تواند مصرف انرژی را حدود 7 درصد کاهش داده و ازطرف‌دیگر 5 درصد قدرت پردازشی را بیشتر کند! همچنین، تراکم ترانزیستورها 10 درصد بیشتر می‌شود که مهر تاییدی روی قابلیت‌های پردازشی چند هسته‌ای خواهد بود.

براساس گزارش وب‌سایت Techspot، کمپانی تایوانی TSMC برای توسعه لیتوگرافی 2 نانومتری از ترانزیستورهای کوچک نانو با فناوری Gate-All-Around را استفاده می‌کند که از ولتاژ بسیار پایینی برخوردار خواهد بود! TSMC l می‌گوید صفحه‌های انباشته نانو برای لیتوگرافی 2 نانومتری با تکنولوژی N2 راندمان انرژی و عملکرد تراشه‌های موبایل و گجت‌های پوشیدنی مانند عینک واقعیت ترکیبی را به‌شکل شگفت‌انگیزی افزایش می‌دهد؛ ازاین‌سو، سازندگان دستگاه‌های هوشمند می‌توانند به‌راحتی با افزایش کم ظرفیت باتری، میزان شارژدهی گوشی‌های هوشمند را چندین ساعت بهبود بخشند.

ازسوی‌دیگر، انتظار می‌رود لیتوگرافی N2P درمقایسه‌با N2 حدود 5 تا 10 مصرف انرژی و توان پردازشی تراشه را بهبود بخشد! بااین‌حال، N2P از مکانیزم انتقال انرژی عادی استفاده می‌کند که درمقایسه‌با شبکه انتقال انرژی نسل جدید تقریبا مصرف بیشتری را به‌همراه دارد، اما بسیار ناچیز است و کاربران به‌صورت عادی متوجه آن نمی‌شوند! شایعات تایید می‌کند برنامه‌های بیشتری برای توسعه لیتوگرافی A16 یا 1.6 نانومتری وجود دارد، اگرچه جزئیاتی ازآن دردسترس نیست و باید منتظر اخبار بعدی باشیم.

اخبار مرتبط:

AMA