سامسونگ از حافظه‌های GDDR7 برای پردازنده‌های گرافیکی رونمایی کرد و در مرحله اول توسعه به سرعت ۳۲ گیگابیت برثانیه رسیدند.
سامسونگ از توسعه نسل اول حافظه‌های «GDDR7» خبر داد و اعلام کرد از ابتدای سال ۲۰۲۴ وارد بازار جهانی می‌شود. افزایش قابل‌توجهی در پهنای باند حافظه «GDDR DRAM» نسبت به نسل گذشته وجود دارد که برپایه فناوری سیگنال‌دهی دامنه پالس سطح ۳ (PAM-3) گسترش می‌یابد؛ همچنین توسعه این فناوری باعث شد سامسونگ به‌عنوان پیش‌رو و اولین شرکتی لقب گیرد که نسل اول حافظه‌ها را با سرعت ۳۲ گیگابیت برثانیه معرفی می‌کند.
طی ماه‌های اخیر شاهد افزایش افشاگری‌ها و اطلاعیه‌های متعددی از توسعه و عرضه حافظه‌های «GDDR» توسط شرکت‌ها بودیم؛ البته هنوز مشخصات کاملی مشخصات کاملی برای توسعه این حافظه از شرکت «JEDEC» منتشر نشده، اما رقیب سرسخت سامسونگ یعنی کمپانی میکرون قبلا اعلام کرده بود از حافظه‌های GDDR7 در زمان‌بندی مشابهی در سال ۲۰۲۴ رونمایی می‌کند. همچنین اوایل سال جاری میلادی شرکت «Cadence» میزان قابل‌توجهی از مشخصات فنی حافظه‌های مذکور را به‌اشراک گذاشت و نشان داد حافظه‌های این کمپانی از فناوری سیگنال‌دهی دامنه پالس سطح ۳ بهره می‌برد و توانسته‌اند سرعت ترانسفر ۳۶ گیگابیت برثانیه را ثبت کنند.
غول کره‌ای می‌گوید توسعه فاز اول حافظه‌های GGDR۷ تکمیل کرده است و تمایل دارد برخی اطلاعات از مشخصات فنی حافظه‌ها را درهمین مرحله قبل از ورود به تولید انبوه منتشر کند. انتشار اطلاعاتی شرکت سامسونگ می‌تواند نقطه عطفی در توسعه حافظه‌ها باشد، چراکه سایر سازندگان می‌توانند اقدام‌های لازم برای اعتبارسنجی سخت‌افزاری را روی حافظه‌های GGDR7 آغاز کنند. همچنین انتشار رسمی اطلاعات نشان می‌دهد سامسونگ پیشگام توسعه حافظه‌های GDDR است.
| مشخصات حافظه‌های GDDR | |||||
| GDDR7 | GDDR6X | GDDR6 | |||
| پهنای باند در هر پین | ۳۲ گیگابیت (پیش‌بینی) | 24 گیگابیت برثانیه | 24 گیگابیت برثانیه | ||
| چگالی تراشه | 2 گیگابایت (16 گیگابیت) | 2 گیگابایت (16 گیگابیت) | 2 گیگابایت (16 گیگابیت) | ||
| پهنای باند کلی (باس ۲۵۶ بیتی) | 1024 گیگابیت برثانیه | 768 گیگابیت برثانیه | 768 گیگابیت برثانیه | ||
| ولتاژ حافظه دی‌رم | 1.2 V | 1.35 V | 1.35 V | ||
| نرخ انتقال داده | QDR | QDR | QDR | ||
| سیگنال‌دهی | PAM-3 | PAM-4 | NRZ (Binary) | ||
| بسته‌بندی | 266 FBGA | 180 FBGA | 180 FBGA | ||
علاوه‌بر ارائه به‌روزرسانی درباره فرآیند توسعه حافظه‌های GDDR7، سامسونگ مشخصات فنی سطح بالایی درمورد نسل اول حافظه‌ها منتشر خواهد کرد. براساس جدولی که مشاهده می‌کنید، غول فناوری کره‌ای انتظار دارد در نسل جدید حافظه‌های GDDR DRAM به سرعت انتقال داده ۳۲ گیگابیت برثانیه با پهنای باند یک ترابایتی برسد که ۳۳ درصد بیشتر از نرخ ۲۴ گیگاترانسفر برثانیه حافظه‌های GDDR6 است؛ همچنین سامسونگ و کدنس آمریکا از قبل براین‌باور بودند که سرعت حافظه‌های یادشده درنهایت ۵۰درصد بیشتر می‌شود و به ۳۶ گیگابیت برثانیه می‌رسد.
با نگاهی به توسعه‌وپیشرفت حافظه‌های GDDR می‌توان گفت حافظه‌های نسل جدید نسبت به دو نسل قبلی از جهش کوچکتری برخوردار است. حافظه‌های GDDR6 ابتدا با سرعت ۱۴ گیگابیت برثانیه معرفی شدند و درنهایت به ۲۴ گیگابیت برثانیه گسترش یافتند. کارشناسان معتقدند سامسونگ به‌جای دو برابر کردن پهنای باند می‌بایست سیگنال‌دهی حافظه‌ها را افزایش می‌داد؛ اکنون این سیگنال‌دهی تنها به‌دلیل تغییر از سیگنال NRZ سطح به سیگنال PAM سطح ۳ توانسته حدود ۵۰درصد افزایش پیدا کند.
درحال‌حاضر، سریع‌ترین نوع حافظه GDDR۶ که در پردانزده‌های گرافیکی استفاده می‌شود تنها ۲۰ گیگاترانسفر قدرت دارند. حافظه‌های GDDR6 سامسونگ با نرخ ۲۴ گیگاترانسفر هنوز به‌صورت کامل مورد استفاده قرار نمی‌گیرند. برهمین‌اساس، باتوجه به محصولات هوشمند دیگری که از حافظه‌های GDDR6 بهره‌مند هستند می‌توان جهش موثر پهنای باند در پردازنده‌های گرافیکی را برای اواخر سال ۲۰۲۴ یا ۲۰۲۵ پیش‌بینی کرد.
اولین تراشه‌های GDDR7 سامسونگ با ظرفیت ۱۶ گیگابیت ساخته می‌شود که با چگالی حافظه‌های سری ایکس GDDR6 مطابقت دارند. براین‌اساس، ظرفیت حافظه در محصول نهایی با فرض یکسان بودن گذرگاه (باس) تفاوت قابل‌توجهی با محصولات امروزی نخواهد داشت. درمجموع طی سال‌های گذشته رشد تراکم DRAM به‌دلیل مشکلات مقیاس‌بندی کند شده است و این موضوع می‌تواند روی حافظه‌های GDDR7 نیز تاثیر بگذارد.
غول کره‌ای ادعا می‌کند حافظه‌های GGDR7 حدود ۲۰درصد بهره‌وری انرژی بیشتری درمقایسه با حافظه‌های GDDR6 DRAM فعلی ارائه می‌کنند؛ البته برای اثبات چنین ادعایی هنوز زود است و باید توسعه این نوع حافظه‌ها وارد فاز‌های دوم و سوم شود. به‌نقل از وب‌سایت فناوری Anandtech، راندمان انرژی DRAM اصولا برپایه بیت برثانیه اندازه‌گیری می‌شود (پیکوژول برثانیه/pJpb)، بدین‌ترتیب می‌توان گفت سامسونگ از چنین فرضیه‌ای برای ادعایش استفاده می‌کند.
به‌روزرسانی: مرحله دوم انتشار مشخصات حافظه GDDR7
کمپانی سامسونگ جزئیات بیشتری از فاز اول حافظه‌های GDDR7 نظیر ولتاژ حافظه، نحوه اندازه‌گیری بازده انرژی و معماری پردازنده گرافیکی منتشر کرد؛ برای درک بهتر از فرآیند و نحوه ساخت حافظه‌های دی‌رم سامسونگ باقی ادامه را مطالعه کنید.
حافظه‌های GDDR7 از بهره‌وری انرژی بهتری نسبت به نسل قبل دارند و از ۱.۷ ولت به ۱.۲ ولت رسیده است. این موضوع تنها بهبود بهره‌وری ۲۰درصدی را نشان می‌دهد که برای حافظه‌های نسل جدید با افزایش انتقال ترانسفر ۳۳درصدی می‌تواند بدان معنا باشد که مصرف مطلق انرژی افزایش می‌یابد. باتوجه به ارقام در دو نسل از حافظه‌های GDDR DRAM افزایش ۷درصدی در مصرف کلی خواهیم داشت.
علاوه‌براین، برای کاربرانی که نیاز به مصرف برق کمتر و خنک‌کننده‌های قو‌ی‌تر دارند، سامسونگ نسخه‌ای ولتاژ پایین از حافظه‌های GDDR7 را دردسترس عموم قرار می‌دهد. براساس گفته‌های غول کره‌ای این نسخه ۱.۱ وفتی از حافظه‌ها خواهد بود؛ اطلاعاتی درباره انتقال سرعت آن‌ها موجود نیست. اما انتظار می‌رود نرخ انتقال داده به حافظه‌های GDDR6 نزدیک باشد. با نسل فعلی حافظه‌های GDDR، اصولا لپ‌تاپ‌های پرچمدار با استفاده از حافظه ولتاژ پایین سرعت انتقال دادهایشان بیشتر ۱۸ گیگابیت برثانیه نمی‌شوند. بدین‌ترتیب، سرعت نسخه ولتاژ پایین GDDR7 می‌تواند ۲۴ گیگابیت برسد که گامی بسیار مهم تلقی می‌شود.
در ادامه سامسونگ تایید اعلام کرد از معماری D1z برای اولین نسل GDDR7 استفاده می‌کند. احتمالا موضوعی که برای کاربران و کارشناسان تعجب‌برانگیز خواهد بود به‌کارگیری معماری قدیمی ۱۲ نانومتری است که در ساخت حافظه‌های DDR5 از استفاده می‌شود، اما باید به‌یاد داشت کمپانی سامسونگ بدون بهره‌مندی از معماری پیشرفته‌تر توانسته ۲۰ درصد بهره‌وری انرژی ارائه دهد که نشانه‌ای امیدوارکننده برای آینده حافظه‌های GDDR7 محسوب می‌شود. همچنین درباره طراحی معماری نیز سامسونگ خاطر نشان کرد حافظه GDDR7 از «بهینه‌ساز معماری IC» بهره برده است که برای تولید برق و گرما استفاده می شود.
در بیانیه‌های مطبوعاتی سامسونگ اظهار کرد که حافظه‌های GDDR7 از بهترین نوآوری‌ها در قطعات فیزیکی بهره‌مند هستند. مدیرعامل این شرکت می‌گوید، باتوجه به بارهای حرارتی بالایی که توسط حافظه‌های GDDR تولید می‌شود از قالب‌گیری‌های اپوکسی (EMC) برای ساخت نسل جدید استفاده کرده‌اند که اساسا برای انتقال گرما طراحی می‌شوند. کمپانی سامسونگ مدعی است این حافظه از کاهش ۷۰ درصدی بارهای حرارتی درمقایسه با GDDRY برخوردار می‌شوند.
باتوجه به زمان‌بندی سامسونگ و میکرون برای عرضه حافظه‌های GDDR7، به‌نظر می‌رسد این حافظه‌های برای هوش مصنوعی و شتاب‌دهنده‌های شبکه مورد استفاده قرار گیرد. ازسوی دیگر، دو شرکت تایوانی ای‌ام‌دی و انویدیا اعلام کردند درحال‌حاضر نمی‌توانند از حافظه‌های GDDR7 برای کارت‌های گرافیکی بهره‌مند شوند. براین‌اساس، می‌توان گفت غول‌های فناوری با تمرکز برروی هوش مصنوعی از این حافظه‌ها استفاده خواهند کرد.
اخبار مرتبط: فناوری Li-Fi جایگزینی برای وای فای با صد برابر سرعت بیشتر
