گزارش‌هایی به گوش می‌رسد که سامسونگ توسعه تراشه‌ای ۲ نانومتری با کد “تیتیس” (Thetis) را آغاز کرده است. گفته می‌شود این تراشه ممکن است در اولین نسل از پردازنده‌های اگزینوس سامسونگ مورد استفاده قرار گیرد.

با‌توجه‌به پیش‌بینی‌های صورت گرفته، انتظار می‌رود تراشه اگزینوس 2500 نانومتری سامسونگ به عنوان اولین چیپست گوشی هوشمند مبتنی‌بر لیتوگرافی 3 نانومتریب با فناوری GAA این شرکت، در سه‌ماهه چهارم سال‌جاری وارد مرحله تولید انبوه شود. با این حال، کمپانی سامسونگ برنامه‌های بلندپروازانه‌تری را برای بخش ریخته‌گری خود در نظر گرفته است. طبق گزارش جدیدی، این شرکت توسعه لیتوگرافی۲ نانومتری خود را آغاز کرده تا در آینده از آن در نسل بعدی تراشه‌های اگزینوس استفاده کند.

براساس گزارش‌های اخیر، غول فناوری کره جنوبی، سامسونگ، در حال توسعه‌ فرآیند تولید تراشه‌های ۲ نانومتری با اسم رمز تیتیس است. این خبر پس از سفر مدیر ارشد عملیاتی اپل به تایوان برای تأمین اولین محموله ویفرهای لیتوگرافی ۲ نانومتری از TSMC منتشر شده است. تیتیس، الهه‌ دریا در اساطیر یونان و مادر آشیل، قهرمان جنگ تروا است. برخی گمانه‌زنی‌ها حاکی از آن است که سامسونگ این اسم را با توجه به ریشه‌ لغوی تیتیس به معنای نسل‌ها انتخاب کرده باشد. مشابه رویکرد سامسونگ در ارائه‌ نسخه‌های مختلف برای فناوری لیتوگرافی 3 نانومتری GAA، این احتمال وجود دارد که فرآیند تولید ۲ نانومتری تیتیس نیز منجر به عرضه‌ طیف وسیعی از محصولات متنوع با عملکردهای متفاوت شود. این اقدام می‌تواند موقعیت سامسونگ را در رقابت تنگاتنگ با سایر بازیگران کلیدی صنعت نیمه‌رسانا همچون TSMC و اپل مستحکم‌تر سازد.

تراشه سامسونگ

براساس گزارش‌های منتشر شده، کمپانی سامسونگ در حالی که برنامه‌ی خود برای آغاز تولید انبوه ویفرهای 2 نانومتری GAA در سال 2025 را پیش‌تر اعلام کرده است، همزمان بر توسعه‌ سه نسل از فناوری 3 نانومتری GAA تمرکز دارد. گفته می‌شود نسل دوم این فناوری در تراشه‌ی اگزینوس 2500 مورد استفاده قرار خواهد گرفت. هدف سامسونگ از چنین اقدامی، کاهش نشتی جریان و ارتقای بازدهی انرژی این تراشه است. با به‌کارگیری فناوری نوآورانه‌ Gate All Around یا به‌اختصار (GAA) در لیتوگرافی ۲ نانومتری، این احتمال وجود دارد که سامسونگ در مقایسه با رقیب اصلی خود، TSMC، و لیتوگرافی۲ نانومتری آن، به دستاوردهای چشمگیری دست یابد.

بازدهی تولید همواره یکی از موانع اساسی شرکت سامسونگ در حوزه‌ ریخته‌گری تراشه‌های پیشرفته بوده است. این چالش حتی با معرفی فناوری 3 نانومتری GAA نیز برطرف نشده و علی‌رغم افزایش ظاهری بازدهی تولید به سه برابر مقدار اولیه، همچنان سامسونگ از رقیب اصلی خود، TSMC، عقب است. باتوجه‌به اهمیت به‌کارگیری گسترده‌تر تراشه‌های اگزینوس در گوشی‌های هوشمند پرچم‌دار آینده، سامسونگ در تلاش است تا سرعت تولید انبوه سیلیکون‌های نسل جدید را افزایش دهد. دستیابی به بازدهی تولید بالاتر، نقشی کلیدی در تحقق هدفش ایفا خواهد کرد.

تلاش سامسونگ برای افزایش بازدهی تولید تراشه‌های 2 نانومتری با فناوری GAA چند هدف را دنبال می‌کند. از یک طرف، این امر به‌کاهش وابستگی سامسونگ به کوالکام و در نتیجه پایین آمدن هزینه‌های مربوط به تراشه‌ها کمک می‌کند. هزینه گزاف تراشه‌ها برای سامسونگ، خصوصا با عرضه سری گلکسی S23 تنها با تراشه‌ اسنپدراگون 8 نسل 2 در سال 2023، به رقم سرسام‌آور 7 میلیارد دلار رسید. ازسوی‌دیگر، همانطورکه گزارش‌های مالی سامسونگ در سه‌ماهه‌ اول سال 2024 نشان می‌دهد، سود عملیاتی این شرکت نسبت به سه‌ماهه‌ اول سال 2023 با جهشی 933 درصدی همراه بوده است. این عملکرد درخشان، نشان‌دهنده‌ بهینه‌سازی فعالیت‌های بخش‌های مختلف سامسونگ است و می‌تواند تاثیر بسزایی در بهبود بازدهی تولید فرآیند 2 نانومتری GAA داشته باشد.

اخبار مرتبط: