کمپانی TSMC تایوان اعلام کرد فرآیند توسعه لیتوگرافی 1.4 نانومتری را آغاز کرده که به‌عنوان هسته اصلی تراشه‌های آیفون، کارت‌های گرافیک NVIDIA و AMD مورد استفاده قرار خواهد گرفت.
اواسط سال ۲۰۲۴ میلادی، کمپانی سامسونگ اعلام کرد روند توسعه لیتوگرافی ۴ نانومتری، ۲ نانومتری و ۱.۴ نانومتری را شروع کرده که برای گوشی‌های پرچم‌دار مورد استفاده قرار خواهد گرفت؛ ازاین‌سو، TSMC نیز اعلام کرد که لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری آن‌ها با بازدهی بالا طی سال‌های آینده معرفی می‌شود که برای ساخت پردازنده‌های قدرت‌مند اپل، انویدیا و AMD کاربرد دارد.
براساس اعلام رسمی کمپانی TSMC، فرآیند تولید با لیتوگرافی 1.4 نانومتری در سال ۲۰۲۸ میلادی، با پیشرفت‌های متعددی درمقایسه‌با لیتوگرافی ۲ نانومتری، وارد مرحله تولید انبوه خواهد شد. پیشرفت‌ها شامل ۳۰ درصد کاهش در توان مصرفی و 15 درصد افزایش عملکرد می‌شود. باتوجه‌به نقشه راه TSMC، لیتوگرافی ۲ نانومتری اواخر سال جاری میلادی به مرحله تولید خواهد رسید.
باتوج‌به فهرست مشتریان TSMC، تولید نسل آتی به احتمال زیاد در مدل‌های آیفون، کارت‌های گرافیک انویدیا، تراشه‌های AMD و بسیاری دیگر از محصولات پیشرفته به‌کار گرفته خواهد شد. براساس اعلام TSMC، افزایش ۲۰ درصدی در چگالی لیتوگرافی حاصل‌شده که امکان ارتقا عملکرد نسبت‌به فرآیند ۲ نانومتری را مهیا می‌سازد. درمقایسه‌با لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC، فناوری ۱.۴ نانومتری به‌صورت بنیادین تا ۳۰ درصد سریع‌تر عمل‌کرده و ۶۰ درصد راندمان انرژی بالاتری ارائه می‌دهد.
انتظار می‌رود سری جدید آیفون ۱۷ اپل از لیتوگرافی ۳ نانومتری با تکنولوژی N3P برای تراشه‌های سری A بهره می‌برد؛ ازاین‌سو، رسیدن به فناوری ۲ نانومتری به نسل آیفون ۱۸ یا ۱۹ موکول می‌شود. به‌عبارت‌دیگر، دستیابی به لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری نیز همچنان مستلزم گذر چندین نسل فناوری است که مشخص نیست دقیقا چه سالی ازآن بهره‌مند خواهیم شد.
