براساس اعلام رسمی کمپانی SK Hynix، توسعه حافظه DRAM فوق پیشرفته LPDDR5T پایان یافته و از آن به‌صورت اختصاصی در تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۳ معرفی کرده است.

اوایل صبح امروز، کمپانی SK Hynix حافظه قدرت‌مند LPDDR5T (Low Power Double Rate 5 Turbo) را به‌عنوان سریع‌ترین حافظه DRAM جهان دربخش صنعت گوشی‌های هوشمند با ظرفیت ۱۶ گیگابایت و سرعت ۹.۶ گیگابیت برثانیه معرفی کرد؛ محققان و کارشناسان براین‌باورند دنیای گوشی‌های هوشمند با استفاده از چنین فناوری می‌تواند متحول شود، چراکه سرعت پردازش‌ها را به‌شکل فوق‌العاده‌ای افزایش می‌دهد و درمقایسه‌با نسل‌های فعلی عملکرد روان و منسجم‌تری دارند؛ در ادامه به‌جزئیات بیشتری از این خبر می‌پردازیم.

همان‌طورکه می‌دانید، شب گذشته، کمپانی کوالکام با برگزاری مراسم Snapdragon Summit 2023، از تراشه‌های اسنپدراگون X Elite و اسنپدراگون ۸ نسل ۳ رونمایی کرد و مشخص شد این پردازنده‌های نسل جدید با پشتیبانی از هوش مصنوعی می‌توانند قابلیت‌های پردازشی و گرافیکی زیادی را دراختیار کاربران قرار دهند. از‌سوی‌دیگر، شرکت کره‌ای SK Hynix پس‌از معارفه رسمی کوالکام، رسما اعلام کرد توسعه حافظه LPDDR5T را به‌پایان رسانده و از آن در اسنپدراگون ۸ نسل ۳ به‌صورت اختصاصی استفاده کرده است.

حافظه LPDDR5T

حافظه LPDDR نوع کم مصرف DRAM محسوب می‌شود که برای دستگاه‌های هوشمند مانند گوشی‌ها و تبلت‌ها با هدف افزایش عملکرد و سرعت با کاهش مصرف انرژی مورد استفاده قرار می‌گیرد. آخرین مشخصات سخت‌افزاری حافظه مربوط نسل هفتم بود که شامل 1، 2، 3، 4، 4X، 5 و 5X می‌شود. اما امروز نسخه بهبودیافته نسل هفتمLPDDR5T توسط کمپانی بزرگ SK Hynix قبل‌از توسعه نسل هشتم LPDDR6 رونمایی شد و به‌زودی توسط برخی سازندگان مورد استفاده قرار می‌گیرد.

البته باید ذکر کنیم که توسعه حافظه LPDDR5T در ژانویه سال‌جاری به‌پایان رسید، اما مذاکره‌ها با کمپانی Qualcomm Technologies کمی به‌طول انجامید و پس‌ازآن شرکت SK Hynix فرآیند سازگاری با تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۳ را شروع کرد و توانست هم‌زمان با معرفی رسمی کوالکام از آن رونمایی کند. همچنین، hynix انتظار دارد با فرآیند اعتبارسنجی با Qualcomm Technologies که از پیشگامان محصولات مخابراتی و بی‌سیم در دنیا محسوب می‌شود، دامنه حافظه LPDDR5T را افزایش دهد.

 Snapdragon Summit 2023

طبق منابع منتشر شده، SK Hynix محصولی با ۱۶ گیگابایت حافظه رم با ترکیبی از چندین تک تراشه LPDDR5T عرضه می‌کند که سرعت پردازش اطلاعاتی آن به ۷۷ گیگابایت برثانیه می‌رسد که معادل پردازش ۱۵ فیلم Full HD است. علاوه‌براین، تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۳ با حافظه LPDDR5T مزیت‌های زیادی در بهره‌وری انرژی دارد و از کمترین ولتاژ استاندارد ۱.۰۱ و ۱.۱۲ ولتی بهره می‌برد که توسط شورای مهندسی دستگاه‌های الکترونیکی مشترک (JEDEC) تایید شده است.

در انتها باید یادآور شویم این سازنده کره‌ای از فرآیند High-K Metal Gate یا به‌اختصار HKMG استفاده کرده تا بتواند به‌صورت قابل‌توجهی سرعت عملکرد و بهره‌وری را افزایش دهد. باتوجه‌به قابلیت‌های این حافظه DRAM انتظار می‌رود LPDDR5T قبل از معرفی نسل بعدی LPDDR6، سهم زیادی از بازار را به‌دست آورد. همچنین، یادآور می‌شویم درصورت انتشار اخبار بیشتر درباره این حافظه پیشرفته آن را با شما به‌اشتراک خواهیم گذاشت.

اخبار مرتبط: