سامسونگ می‌خواهد بااستفاده از نسل جدید فناوری ترانزیستور GAA تولید انبوه تراشه ۲ نانومتری را از ۲۰۲۵ آغاز کند و شکست نسل ۳ و ۴ مقابل TSMC تاثیری در برنامه غول کره‌ای ندارد.
شرکت سامسونگ در جذب مشتری برای آخرین تراشه‌های خود (۴ و ۳ نانومتری) با مشکلاتی روبرو بوده است. درحقیقت پس از عرضه تراشه اسنپدراگون ۸ نسل یک با لیتوگرافی سامسونگ و مشکلات زیاد آن مانند داغ کردن بیش از حد، سامسونگ دیگر نتوانست خودی در بازار تراشه نشان دهد. البته اخیرا گلکسی S24 پایه و پلاس با تراشه اگزینوس ۲۴۰۰ سامسونگ راهی بازار شدند که عملکرد قابل قبولی داشتند. اکنون گزارش جدیدی منتشر شده که نشان می‌دهد سامسونگ نگرانی بابت شکست نسل فعلی تراشه نداشته و به‌دنبال توسعه فناوری‌های پیشرفته‌تر ازجمله لیتوگرافی ۲ نانومتری است.
به‌گزارش Gizmochina، شرکت سامسونگ برای تولید انبوه تراشه ۲ نانومتری می‌خواهد از فناوری نسل جدید ترانزیسوتر GAA (gate-around transistor) در سال ۲۰۲۵ استفاده کند. سامسونگ این فناوری را در کنفرانس صنعتی بعدی به‌نمایش خواهد گذاشت. GAA یک طراحی ترانزیستور جدید است که با ایجاد جریان بهتر، کارایی و عملکرد تراشه را بهبود می‌دهد. سامسونگ برای اولین بار فناوری GAA را در فرآیند ۳ نانومتری خود معرفی کرد، اما تاکنون فقط پردازنده‌های اگزینوس تولید داخلی سامسونگ به‌آن مجهز شده‌اند. درمقایسه‌با تراشه‌های ۵ نانومتری، نسل اول تراشه 3 نانومتری GAA تراشه را از نظر کاهش مساحت، قدرت پردازش و بهره‌وری در مصرف انرژی ارتقا می‌دهد.
درادامه سامسونگ قصد دارد تراشه‌هایی را با استفاده از نسل دوم فناوری ۳ نانومتری GAA در اواخر سال ۲۰۲۴ تولید کند. انتظار می‌رود این فناوری بتواند از نسل اول عملکرد بهتری ارائه دهد و باعث پیشرفت تراشه شود؛ بااین حال هنوز دقیق مشخص نیست که از چه نظر تراشه بهتر خواهد شد. درحالی که رقیب اصلی غول کره‌ای یعنی TSMC هنوز از فناوری GAA استفاده نکرده، انتظار می‌رود هر دو شرکت TSMC و اینتل از آن در تراشه‌های ۲ نانومتری خود استفاده کنند.
اخبار مرتبط:
