تراشه جدید هواوی کرین 9100 با لیتوگرافی 7 نانومتری عرضه می‌شود، اما به‌دلیل افزایش ترانزیستورها می‌تواند قدرت پردازشی و مصرف انرژی پایین‌تری درمقایسه‌با نسل گذشته داشته باشد.

اواخر سال‌گذشته، کمپانی هواوی با تولید تراشه کرین 9000S برپایه لیتوگرافی 7 نانومتری (N+2) توانست به تحریم‌های ایالات متحده آمریکا غلبه کند! همچنین، غول چینی روند استفاده از لیتوگرافی 7 نانومتری را برای سایر پردازنده‌ها مانند کرین 9010 در سری Pura 70 ادامه داد تا بتواند نسل بعدی پرچمدارانش را در بازار داخلی چین عرضه کند. باوجوداین، برخی منابع خبری می‌گویند در سری Mate 70 هواوی از لیتوگرافی 5 نانومتری SMIC استفاده خواهد کرد، اما شایعات نشان می‌دهد تراشه جدید کرین با استفاده فناوری N+3 چگالی بیشتری را برای افزایش ترانزیستور دراختیار هواوی می‌گذارد.

پییش‌ازاین گزارش شد سری هواوی Mate 70 به لیتوگرافی 5 نانومتری SMIC مجهز نخواهد شد و انتظار می‌رود تراشه جدید کرین 9100 از همان فناوری 7 نانومتری باقی بماند. اگرچه این‌موضوع به‌شدت ناامیدکننده به‌نظر می‌رسد، احتمالا دلایل عملی برای این تصمیم وجود دارد. تولید انبوه ویفرهای 5 نانومتری با استفاده از تجهیزات DUV قدیمی به‌جای ماشین‌آلات EUV به‌معنای بالابودن هزینه‌های تولید و پایین‌بودن بازدهی خواهد بود.

تراشه کرین 9100 با لیتوگرافی 7 نانومتری تولید می‌شود؛ افزایش

هزینه هرویفر 5 نانومتری که توسط SMIC تولید می‌شود بسیار بالا خواهد بود، بنابراین احتمالا هواوی تصور می‌کند هزینه‌ها توجیهی برای استفاده ازاین فناوری در تراشه‌های گوشی‌هایش ندارند. کارشناسان برا‌ین‌‌باورند کرین 9100 با استفاده از لیتوگرافی 7 نانومتری و معماری N+3 ساخته شود، اما می‌تواند چگالی بالاتری درمقایسه‌با Kirin 9010 و Kirin 9000S داشته باشد.؛ به‌این‌معنی که کرین 9100 تعداد بیشتری ترانزیستور خواهد داشت که منجر به بهبود «عملکرد درهر وات» و کاهش مصرف انرژی می‌شود.

علاوه‌بر تراشه آینده سری Mate 70، شایعاتی مبنی‌بر آزمایش فناوری N+3 توسط هواوی برای سخت‌افزار ARM نیز وجود دارد. بااین‌حال، از نظر لیتوگرافی، هواوی نمی‌تواند به سرعت شکاف عملکرد را پر کند، چراکه موج اول تراشه‌های 3 نانومتری N3E کمپانی تایوانی TSMC، مانند دایمنسیتی 9400، اسنپدراگون 8 نسل 4 و A18 اپل در پایان سال جاری وارد بازار خواهند شد.