سامسونگ ۴.۷۴۵ میلیارد دلار از وزارت بازرگانی ایالات متحده برای تولید تراشه‌های پیشرفته نیمه‌رسانا دریافت خواهد کرد. این بودجه در چارچوب برنامه مشوق‌های CHIPS آمریکا و فرصت تأمین مالی برای تأسیسات تولید تجاری ارائه می‌شود.
وزارت بازرگانی ایالات متحده اعلام کرد که مبلغ ۴.۷۴۵ میلیارد دلار به سامسونگ الکترونیکس تحت قانون CHIPS (ایجاد مشوق برای تولید نیمه‌رساناها) اختصاص داده شده که این کمپانی کره‌ای از این بودجه به‌عنوان بخشی از پروژه ۳۷ میلیارد دلاری ساخت دو کارخانه پیشرفته تولید تراشه و یک کارخانه تحقیق و توسعه در شهر تگزاس استفاده خواهد کرد.
این شرکت کره‌ای همچنین از این بودجه برای گسترش کارخانه تولید تراشه نیمه‌رسانای خود در آستین، تگزاس بهره خواهد برد. سامسونگ در ابتدا قرار بود مبلغ ۶.۴ میلیارد دلار تحت قانون CHIPS دریافت کند، اما بودجه اختصاصی تغییر کرده است. دلیل این تغییر، بازنگری سامسونگ در برنامه سرمایه‌گذاری میان‌مدت و بلندمدت خود برای بهینه‌سازی بیشتر است. به احتمال زیاد این بدان معناست که سامسونگ میزان سرمایه‌گذاری خود را نسبت به برنامه اولیه کاهش داده است.
سامسونگ که زمانی رقیب سرسخت شرکت TSMC به‌عنوان رهبر فعلی بازار بود، اکنون در رقابت عقب افتاده است. با وجود سرمایه‌گذاری میلیارد دلاری در طول سال‌ها، سهم بازار این شرکت کاهش یافته است. سامسونگ در جذب مشتریان برای فناوری‌های ۳ نانومتری و پیشرفته‌تر دچار مشکل شده است، در‌حالی‌که TSMC به‌طور انحصاری قراردادهای مربوط به این فناوری‌ها را به‌دست می‌آورد.
اگرچه سامسونگ ادعا کرده که نرخ بازده نسل دوم فرآیند ۳ نانومتری آن پایدار است، گزارش‌های اخیر نشان می‌دهد که این میزان تنها ۲۰ درصد است؛ یعنی کمتر از یک‌سوم هدف مورد نظر. سامسونگ باید به‌طور جدی روی این موضوع کار کند تا بتواند با TSMC که گزارش شده نرخ بازدهی بیش از ۷۰ درصد برای فرآیندهای ۳ نانومتری خود دارد، رقابت کند.
سامسونگ قصد دارد سال آینده تولید تراشه‌های مبتنی‌بر فرآیند ۲ نانومتری خود را آغاز کند. از آنجا که فرصت موفقیت با فرآیند ۳ نانومتری را از دست داده، این شرکت سرمایه‌گذاری خود را به سمت فناوری ۲ نانومتری معطوف کرده است.
